irf830场效应管参数,引脚图,830场效应管参数代换-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-03
漏源电流（IDSS）：4.5A
漏源击穿电压（AV(BR)DSS）：500V
内阻（RDS(ON)Ω）：1.5Ω
最大耗散功率（PD）：74W
通态电流（VRDS(ON)）：2.7A
栅极电压（VGSO）：10V
开启电压（VGS(th)）：2~4V
开启电流（VRDS(on)栅极电压）：250μA
HD安靖器热销型号KIA830场效应管具备漏源电压高达500V和漏极电流到达5A的壮大机能，其开启状况下的电阻为1.0Ω，可以或许供给不变靠得住的电流活动。KIA830场效应管封装情势有：TO-220、TO-252两种，便利装置利用，同时，它还合适RoHS环保请求，具备低电阻和低栅极电荷的特色，使其在适配器、充电器和SMPS备用电源等利用中表现超卓，不变靠得住地为装备供给所需的电源撑持。不管是在峰值电流或脉冲宽度方面，KIA830场效应管都可以或许表现出超卓的机能曲线。它的超卓机能和靠得住性使得它成为普遍利用于各类电源装备中的优选挑选。
漏源电压：500V
漏极电流：5A
栅源电压：±20V
最大功耗：100W
开启电压：2~4V
输入电容：730PF
输入电容：80PF
守旧提早时候：13nS
关断提早时候：40nS
回升时候：15ns
降落时候：20ns
接洽体例：邹师长教师
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