充电模块,500v 13a mos管,KNX6450A场效应管参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-02
KNX6450A场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON），典范=0.40Ω@VGS=10V；具有低栅极电荷，最小化了开关消耗，可以或许不变靠得住地任务，同时具有疾速规复体二极管，供给了更高效的机能表现。
KNX6450A功率MOSFET封装情势：TO-220、TO-220F，专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于欧姆桥拓扑的电子灯镇流器；和在电气装备、调光器模块、充电模块普遍利用。
漏源电压：500V
漏极电流：13A
栅源电压：±30V
脉冲漏极电流：52A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：195W
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2149PF
输入电容：211PF
守旧提早时候：15nS
关断提早时候：46nS
回升时候：24ns
降落时候：34ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
