调光器模块mos管,KNX7650A场效应管,500V 25A参数材料-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2024-02-01
KNX7650A场效应管接纳高等立体工艺制作,具有漏源电压500V和漏极电流25A的特征,RDS(ON)(典范值)为170mΩ@VGS=10V,封装情势:TO-220F、TO-3P;KNX7650A是一款在电气装备、调光器模块、充电模块范畴的公用MOS管。
KNX7650A场效应管接纳了加固多晶硅栅极布局,具有低栅极电荷最小化和开关消耗低的特色,使其能够或许在高效开关电源、无刷直流机电驱动器和电焊机等利用中阐扬主要感化。经由过程利用KNX7650A场效应管,能够使这些装备的机能获得晋升,同时还能进步体系的效力。
漏源电压:500V
漏极电流:25A
栅源电压:±30V
脉冲泄电流:100A
雪崩能量单脉冲:1800MJ
最大功耗:105/290W
输入电容:4280pF
输入电容:1400pF
反向转移电容:185pF
守旧提早时候:24nS
关断提早时候:100nS
回升时候:40ns
降落时候:35ns
KIA半导体主营半导体产物丰硕,是一家国产MOS管厂家。专业处置中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、疾速规复二极管、三端稳压管开辟设想,集研发、出产和发卖为一体的国度高新手艺企业。

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