电源模块选型1200v,KNX42120A场效应管参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-01-23
电源模块热销KNX42120A高压场效应管具有漏源击穿电压高达1200V和漏极电流可达3A的特色，RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V；还具有低栅极电荷最小化开关消耗，低反向传输电容，开关速率快等长处，能够有用地削减开关消耗，疾速规复体二极管，使其具有更高的机能，合适RoHS规范，供给多种封装情势，包含TO-220、TO-220F和TO-252，以知足差别利用处景的需要。KNX42120A场效应管普遍合用于适配器、充电器和SMPS备用电源等范畴。
漏源电压：1200V
漏极电流：3A
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：12A
雪崩能量单脉冲：100MJ
最大功耗：75W
输入电容：860PF
输入电容：22PF
守旧提早时候：17nS
关断提早时候：23nS
回升时候：6ns
降落时候：11ns
接洽体例：邹师长教师
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