10-16串掩护板mos管,KNX3308B场效应管参数,80V 80A-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-01-22
KNX3308B是一款高机能的场效应管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ（typ）在VGS为10V时，这使得它成为电源和DC-DC转换器等利用范畴的抱负挑选；KNX3308B是掩护板公用MOS管，在10-16串掩护板中热销，低导通电阻、最大限制地削减导电消耗，最小化开关消耗，确保锂电池掩护板的机能不变靠得住。
KNX3308B场效应管封装情势：TO-263，接纳无铅绿色装备，合适环保请求，低Rds值可以或许最小化导电消耗，进步全体效力，另外，它还具备高雪崩电流，使其可以或许应答各类庞杂的利用处景。
漏源极电压：80V
漏极电流：80A
栅源电压：±25V
脉冲泄电流：320A
雪崩能量单脉冲：440MJ
最大功耗：210W
输入电容：3650PF
输入电容：420PF
守旧提早时候：21nS
关断提早时候：66nS
回升时候：64ns
降落时候：40ns
在电源和DC-DC转换器等利用中，KNX3308B可以或许阐扬超卓的感化，它的出色机能和靠得住性博得了普遍的利用，可以或许有用地供给不变而高效的功率转换，知足差别需要。其低Rds值和高雪崩电流确保了高效的功率转换和靠得住性。不管是在机能仍是环保方面，都是值得相信的挑选。
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