2串掩护板公用MOS管,KND3502A场效应管参数,引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-01-17
KNX3502A场效应管接纳进步前辈的沟槽手艺，供给出色的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。这款场效应管合用于多种利用，是2串掩护板公用料(低启1.8V)。
KNX3502A场效应管漏源击穿电压20V，漏极电流70A，RDS(on)=7m?(typ.) @ VDS=4.5V，具有高功率和电流处置才能、无铅产物、外表贴装封装，机能不变靠得住。KNX2710A场效应管封装情势：TO-252，普遍利用在蓄电池掩护、负载开关、电源办理等范畴。
漏源极电压：20V
漏极电流：70A
栅源电压：±12V
脉冲泄电流：240A
雪崩能量单脉冲：340MJ
最大功耗：50W
栅极阈值电压：0.65V
输入电容：1800PF
输入电容：200PF
守旧提早时候：5.3nS
关断提早时候：64nS
回升时候：75.4ns
降落时候：62ns
KIA半导体MOS管具有壮大的焦点合作力，是开关电源出产厂家的优良挑选。KIA半导体MOS管厂家首要研发、出产、运营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快规复二极管；普遍利用于逆变器、锂电池掩护板、电动车节制器、HID车灯、LED灯、无刷机电、矿机电源、产业电源、适配器、3D打印机等范畴；可请求收费送样和报价、手艺撑持办事。
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