影响MOS管开关速率的身分:米勒效应-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-01-16
米勒效应，在电子学反相缩小电路中，输出与输出之间的散布电容或寄生电容因为缩小器的缩小感化，其等效到输出真个电容值会扩展1+K倍，此中K是该级缩小电路电压缩小倍数。固然普通密勒效应指的是电容的缩小，可是任何输出与别的高缩小节之间的阻抗也能够经由进程密勒效应转变缩小器的输出阻抗。简略来讲，便是缩小电路中因为寄生电容的影响，致使的电路输出阻抗转变的景象，终究的影响表现在电路的频次呼应产生转变。
MOS管的电容
输出电容Ciss
DS短接，用交换旌旗灯号测得的GS之间的电容，Ciss由GS电容和GD电容并联而成，即Ciss=Cgs+Cgd，当输出电容充电至阈值电压，MOS管才翻开，放电至必然的值，MOS管才封闭，以是Ciss和MOS管的开关时候有很大的干系。
输出电容Coss
GS短接，用交换旌旗灯号测得的DS之间的电容，Coss由GD电容和DS电容并联而成，即Coss=Cgd+Cds。
反向传输电容Crss
S接地，GD之间的电容，即Crss=Cgd。
从MOS管的开关进程领会米勒效应
t0-t1：
当驱动守旧脉冲加到MOSFET的G极和S极，等效于给输出电容Ciss充电(因为Cgs>>Cgd，首要是为Cgs充电)，因为输出电容的存在，VGS只能以必然的斜率回升，这也是限定MOS管开关速率的一个身分；VGS迟缓回升到VGS(th)，在这个进程中，MOS管一向处于关断状况，此时已有细小的电流流过；VDS的电压坚持VDD稳定。
t1~t2：
当VGS到达VGS(th)，MOS起头导通，此时栅极电压延续给输出电容Ciss充电，漏极起头流过电流ID，跟着VGS的回升，ID也逐步增大，VDS依然坚持VDD；在功率MOS管的开关进程中，此阶段功耗比拟大，在VGP点到达最大，但延续时候绝对较短。
t2~t3：
当VGS电压到达VGP，ID到达最大值，VDS起头降落，CGD上的电压也随之减小，也就伴跟着CGD的放电，栅极电流根基上用于 CGD 的放电，使得MOSFET的栅极电压根基坚持稳定，此时进入米勒平台期间(米勒平台便是对GS充电、放电进程中，VGS电压坚持稳定的时候段)，米勒平台的存在使得开关时候增加，开关消耗增大。
t3~t4：
CGD放电实现，米勒平台竣事，VDS延续降落，ID坚持稳定，MOSFET基完整导通。
减小米勒效应答MOS开关速率带来的影响，能够采用以下几点办法：
挑选Cgd较小的MOS管；
进步驱动电压，防止呈现驱动电压临界于平台电压的景象；
加强节制旌旗灯号的驱动才能；
下降VDD电压。
MOS管守旧进程米勒效应的应答办法
减缓驱动强度
a. 进步MOS管G极的输出串连电阻，普通该电阻阻值在1~100欧姆之间，详细值看MOS管的特征和任务频次，阻值越大，开关速率越缓。
b. 在MOS管GS之间并联瓷片电容，普通容量在1nF~10nF四周，看现实须要。调理电阻电容值，进步电阻和电容，下降充放电时候，减缓开关的边沿速率，这个体例出格合适于硬开关电路，消弭硬开关引发的振荡，可是这两种办法城市引发MOS消耗的回升，取值须要连系现实电路利用。
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