30h10k场效应管参数引脚图,代换,LED,掩护板mos选型-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-01-03
VDS =30V,ID =100A
RDS(ON) <5.5mΩ @ VGS=10V (Typ:4mΩ)
漏源电压(Vdss)：30V
持续漏极电流(Id)：100A
功率(Pd)：110W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
KND3203B场效应管接纳CRM(CQ)进步前辈沟槽MOS手艺，漏源击穿电压30V，漏极电流100A，RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V，供给低栅极电荷的优良RDS（ON），能够或许替换30h10k型号停止利用，封装情势：TO-252，在锂电池掩护板、小功率LED等范畴热销，高效力低消耗。KND3203B代换30h10k场效应管还能够用于机电节制与驱动、电池办理、UPS等利用范畴。
KNX3403A 30V 100A场效应管具有极低通阻RDS(通)、疾速切换特色，低Rds开启以最大限制地削减导电消耗，最小化开关消耗等特征，合适JEDEC规范，确保锂电池掩护板的机能不变靠得住。
漏源极电压：30V
漏极电流：100A
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：320A
雪崩能量单脉冲：256MJ
最大功耗：101W
栅极阈值电压：2V
输入电容：2340PF
输入电容：460PF
守旧提早时候：11nS
关断提早时候：34nS
回升时候：102ns
降落时候：95ns
KIA半导体MOS管具有壮大的焦点合作力，是开关电源出产厂家的优良挑选。KIA半导体MOS管厂家首要研发、出产、运营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快规复二极管；普遍利用于逆变器、锂电池掩护板、电动车节制器、HID车灯、LED灯、无刷机电、矿机电源、产业电源、适配器、3D打印机等范畴；可请求收费送样和报价、手艺撑持办事。
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