IRF9410参数,IRF9410TRPBF,掩护板公用MOS管4603A-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-12-28
漏源电压（Vdss）：30V
持续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A
栅源极阈值电压：1V @ 250uA
漏源导通电阻：30mΩ @ 7A,10V
耗散功率：2.5W (Ta)
输入电容(Ciss)：550pF @25V(Vds)
回升时候：7.30 ns
锂电池掩护板公用MOS场效应管KNE4603A漏源击穿电压30V，漏极电流7A，RDS（开）典范值=16mΩ@VGS=10V；具备超低栅极电荷，超卓的Cdv/dt效应降落，最大限制地削减导电消耗，最小化开关消耗等特征，知足RoHs和绿色产物的请求，确保锂电池掩护板的机能不变靠得住。
KNE4603A场效应管是高单位密度沟槽双N沟道MOSFET，具备超卓的参数，可为大大都同步降压转换器利用供给超卓的RDSON和栅极电荷，合用于多种利用范畴，在锂电池掩护板、逆变器、智能医疗范畴热销；KNE4603A封装情势：SOP-8。
KNE4603A 30V 7A场效应管能够替换ST意法、IR、美台、微硕、CET华瑞等品牌的IRF9410TRPBF、FZT849TA、WSE3088、CEM8958、STS7PF30型号停止利用，高效力低消耗，KIA半导体国产原厂现货直销。
漏源电压：30V
漏极电流：7A
栅源电压（持续）：±20V
脉冲漏极电流：36A
功耗：2.1W
栅极阈值电压：2V
输入电容：480PF
输入电容：70PF
守旧提早时候：3.1nS
关断提早时候：18nS
回升时候：8.6 ns
降落时候：5ns
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