k3878场效应管参数,k3878场效应管引脚图-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2023-12-28
K3878是一款N通道金属氧化物场效应管,带掩护二极管的d和s;带掩护的g、s双向二极管;其参数为耐压:900V、电流:9A。
Id-持续漏极电流: 9 A
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Qg-栅极电荷: 60 nC
最大任务温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
封装 : TO-3P-3
降落时候: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 7 S
最小任务温度: - 55 C
回升时候: 25 ns
KIA半导体MOS管具有壮大的焦点合作力,是开关电源出产厂家的优良挑选。KIA半导体MOS管厂家首要研发、出产、运营:场效应管(MOS管)、COOL MOS(超结场效应管)、三端稳压管、快规复二极管;普遍利用于逆变器、锂电池掩护板、电动车节制器、HID车灯、LED灯、无刷机电、矿机电源、产业电源、适配器、3D打印机等范畴;可请求收费送样和报价、手艺撑持办事。
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