mos管栅极电流,MOS管栅极驱动电流计较-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-12-27
MOS管栅极电流是在MOS管中，从栅极输出端进入的电流。MOS栅极电流包含漏极电流（drain+current）和栅极漏极电流（gate-drain current）。
漏极电流是栅极电压必然时，从源极到漏极的电流，用标记ID表现。漏极电流与栅极电压、源极电压和栅-源极电压之间的干系由MOSFET的任务道理和电流-电压特征决议。
栅极漏极电流是指因为MOSFET的外表净化或杂质等缘由，致使栅极外表和漏极之间构成的电流。在一般任务前提下，这类电流很是小，能够疏忽不计。
MOS栅极电流在MOSFET的设想和利用中具备主要意思，可用于阐发MOSFET的静态任务点和静态特征，并用于优化MOSFET的机能。
MOS管是电压节制的，从实际上MOS管电流为零。可是半导体不是抱负器件，不可防止的会存在一些寄生参数。 浏览芯片手册能够晓得，栅极驱动电流公式以下图。
Fsw为开关频次，Qg为mos管栅极布满所需电荷。MOS管以BSC109N10NS3为例 ，检查该mos管芯片手册，能够晓得Qg为50nC摆布。经由进程下面公式计较Igate = 25mA。可是题目来了，以下图：
INTVcc的电流驱动才能为23mA，也便是说开关频次大要跨越500K后，就没法一般驱动这个MOS管了，可是把开关频次改到900K后，电路从外表上运转一般。为了一探讨竟，测试一下MOS管的驱动波形。
波形大抵看起来题目不大，缩小波形，能够看到栅极电压回升进程中有振铃，这个实在是MOS管的弥勒效应引发的震动。这个震动无疑加大了MOS管的开关消耗。这个震动题目实在从正面也反映了这个芯片在Qg = 50nC，开关频次 = 900KHz环境下，驱动才能缺乏的题目。
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