irf730场效应管参数,irf730参数及代换,PDF中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-12-22
漏源电压（Vdss）：400V
电流 - 持续漏极（Id）（25°C 时）：5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
差别 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
差别 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：38nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
差别 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：700pF @ 25V
功率耗散（最大值）：74W（Tc）
差别 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 3.3A，10V
irf730场效应管能够利用KIA730H这一款漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，机能超卓的N沟道加强型硅栅极功率MOSFET替换，专为高压、高速功率开关利用而设想，如开关电源、逆变器、螺线管、机电驱动器、开关转换器。
KIA730H 400V 6A场效应管具备较低的导通电阻，低栅极电荷（典范值为20nC），疾速切换才能，优胜的开关机能，改良的dv/dt才能，极高的雪崩击穿耐量，可最大限制地削减导通消耗；KIA730H封装：TO-220、200F、251、252，封装情势多样，以知足差别需要。
漏源电压：400V
栅源电压：±30V
泄电流持续：6.0A
脉冲漏极电流：24A
雪崩能量：270mJ
耗散功率：73W
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：520PF
输入电容：80PF
回升时候：60ns
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