irf740场效应管参数代换,irf740引脚图,KNX6140A-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-12-21
最大漏极-源极电压（VDS）：400V
最大漏极电流（ID）：10A
最大功率耗散（PD）：110W
静态漏极-源极电阻（RDS(on)）：0.55Ω
门极-源极电压（VGS）规模：±20V
最大导通电阻温度系数（dRDS(on)/dT）：0.035Ω/℃
KNX6140A场效应管接纳专有立体新手艺，漏源击穿电压400V，漏极电流10A，RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V；KIA6720N能够代换irf740型号利用，具备较低的导通电阻、优胜的开关机能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限制地削减导通消耗。
KNX6140A 400V 10A场效应管专为高压、高速功率开关利用而设想，普遍利用于镇流器、照明、交直流变更器等范畴，封装情势：TO-220，便于装置和利用；KIA半导体国产原厂现货直销。
漏源电压：400V
漏极电流10A
门-源电压:±30V
单脉冲雪崩能量：650mJ
峰值二极管规复dv/dt：5.0V/ns
功耗：140/45W
输入电容：1254pF
输入电容：150pF
反向转移电容：21pF
守旧提早时候：14nS
回升时候：25nS
关断提早时候：44nS
降落时候：28nS
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