IRF640场效应管参数,代换,KIA6720N中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-12-20
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-持续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散: 125 W
正向跨导-最小值: 11 S
降落时候: 25 ns
回升时候: 27 ns
典范接通提早时候: 13 ns
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；KIA6720N能够代换IRF640型号利用，封装情势：TO-220，低热阻和低本钱，便于装置和利用。
KIA6720N 200V 18A场效应管合适RoHS、低导通电阻、低栅极电荷使开关消耗最小化、峰值电流与脉冲宽度曲线，高效不变，普遍利用于逆变器、CRT、电视/监督器等范畴。
漏源电压：200V
栅源电压：±20A
泄电流持续：18A
脉冲漏极电流：72A
雪崩能量：1000mJ
耗散功率：156W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：200V
栅极阈值电压：2V
输入电容：1256PF
输入电容：158PF
回升时候：33ns
接洽体例：邹师长教师
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