irf630场效应管参数,irf630参数及代换,irf630引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-12-19
漏极至源极电压(Vds)：200V
栅-源电压:±20V
持续漏极电流(Id):9A
功耗(Pd):75W
栅极阈值电压为3V
350mohm低导通电阻，Vgs 10V
KIA4820N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；KIA4820N能够代换irf630型号利用，封装情势：TO-220、TO-252便于装置和利用，高效不变。
KIA4820N 200V 9A场效应管接纳专有的新型立体手艺，具备优良的RDS（ON）、低栅极电荷使开关消耗最小化，疾速规复体二极管、疾速切换；普遍利用于LED驱动、CRT、电视/监督器等范畴。
任务体例：9A/200V
漏源电压：200V
漏极电流：9.0A
栅源电压：±20V
脉冲漏极电流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83W
栅极阈值电压：4V
输入电容：670PF
输入电容：78PF
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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