mos管首要参数,一文读懂MOS管每个参数-KIA MOS管

静态电特征

1、V(BR)DSS漏源粉碎电压

V(BR)DSS（或VBDSS）指在特定的温度和栅源短接环境下，流过漏极电流到达一个特定值时的漏源电压。这类环境下的漏源电压为雪崩击穿电压。跨越此值，管子面对粉碎。

V(BR)DSS是正温度系数，在-50℃, V(BR)DSS约莫是25℃时最大漏源额外电压的90%。

2、VGS(th)，VGS(off)：阈值电压

VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极起头有电流，或关断MOSFET时电流消逝时的电压，测试的前提（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。一般环境下，一切的MOS栅极器件的阈值电压城市有所差别。是以，VGS(th)的变更规模是划定好的。VGS(th)是负温度系数，当温度回升时，MOSFET将会在比拟低的栅源电压下开启。

3、RDS(on)：导通电阻

RDS(on)是指在特定的泄电流（凡是为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的环境下测得的漏-源电阻，此时管子已是导通的。

4、IDSS：零栅压漏极电流

IDSS是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄泄电流。既然泄泄电流跟着温度的增添而增大，IDSS在室暖和低温下都有划定。泄电流形成的功耗能够用IDSS乘以漏源之间的电压计较，凡是这局部功耗能够疏忽不计。

5、IGSS - 栅源泄电流

IGSS是指在特定的栅源电压环境下贱过栅极的泄电流。

静态电特征

1、Ciss输入电容

将漏源短接，用交换旌旗灯号测得的栅极和源极之间的电容便是输入电容。Ciss是由栅泄电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致必然值时器件才能够关断。是以驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着间接的影响。

2、Coss：输入电容

将栅源短接，用交换旌旗灯号测得的漏极和源极之间的电容便是输入电容。Coss是由漏源电容Cds和栅泄电容Cgd并联而成，或Coss = Cds +Cgd对软开关的利用，Coss很是首要，因为它能够引发电路的谐振。

3、Crss：反向传输电容

在源极接地的环境下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容同即是栅泄电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对开关的回升和降落时候来讲是此中一个首要的参数，影响着关断延时时候。电容跟着漏源电压的增添而减小，特别是输入电容和反向传输电容。

4、Qg总栅极充电电荷与Qgs栅源充电电荷

栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷，既然开关的刹时，电容上的电荷随电压的变更而变更，以是设想栅驱动电路时常常要斟酌栅电荷的影响。

如图所示，Qgs从0电荷起头到第一个拐点处，Qgd是从第一个拐点到第二个拐点之间局部（也叫做“米勒”电荷），Qg是从0点到VGS即是一个特定的驱动电压的局部。

泄电流和漏源电压的变更对栅电荷值影响比拟小，并且栅电荷不随温度的变更。测试前提是划定好的。栅电荷的曲线图表现在数据表中，包罗牢固泄电流和变更漏源电压环境下所对应的栅电荷变更曲线。在图中平台电压VGS(pl)跟着电流的增大增添的比拟小（跟着电流的降落也会降落）。平台电压也反比于阈值电压，以是差别的阈值电压将会产生差别的平台电压。

5、td(on)：导通延时时候

导通延时时候是从当栅源电压回升到10%栅驱动电压时到泄电流升到划定电流的10%时所履历的时候。

6、td(off)：关断延时时候

关断延时时候是从当栅源电压降落到90%栅驱动电压时到泄电流降至划定电流的90%时所履历的时候。这显现电流传输到负载之前所履历的提早。

tr：回升时候

回升时候是漏极电流从10%回升到90%所履历的时候。

tf：降落时候

降落时候是漏极电流从90%降落到10%所履历的时候。

最大额外参数（获得前提：(Ta=25℃) ）

1、VDSS 最大漏-源电压

在栅源短接，漏-源额外电压(VDSS)是指漏-源未产生雪崩击穿前所能施加的最大电压。跨越此值，管子被烧坏。按照温度的差别，实际雪崩击穿电压能够低于额外VDSS。

2、VGS 最大栅源电压

VGS额外电压是栅源南北极间能够施加的最大电压。设定该额外电压的首要目标是避免电压太高致使的栅氧化层毁伤。实际栅氧化层可蒙受的电压远高于额外电压，可是会随制作工艺的差别而转变，是以坚持VGS在额外电压之内能够保障利用的靠得住性。

3、ID 持续泄电流

ID界说为芯片在最大额外结温TJ(max)下，管外表温度在25℃或更低温度下，可许可的最大持续直流电流。该参数为结与管壳之间额外热阻RθJC和管壳温度的函数：

ID中并不包罗开关消耗，并且实际利用时坚持管外表温度在25℃（Tcase）也很难。是以，硬开关用中实际开关电流凡是小于ID 额外值@ TC = 25℃的一半，凡是在1/3～1/4。补充，若是接纳热阻JA的话能够预算出特定温度下的ID，这个值更有实际意思。

4、IDM - 脉冲漏极电流

该参数反应了器件能够处置的脉冲电流的凹凸，脉冲电流要远高于持续的直流电流。跨越此值，管子面对粉碎。界说IDM的目标在于：线的欧姆区。对必然的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。如图所示，对给定的一个栅-源电压，若是任务点位于线性地区内，漏极电流的增大会进步漏-源电压，由此增大导通消耗。永劫候任务在大功率之下，将致使器件生效。是以，在典范栅极驱动电压下，须要将额外IDM设定在地区之下。地区的分界点在Vgs和曲线订交点。

是以须要设定电流密度下限，避免芯片温度太高而销毁。这实质上是为了避免太高电流流经封装引线，因为在某些环境下，全部芯片上最“软弱的毗连”不是芯片，而是封装引线斟酌到热效应对IDM的限定，温度的降低依靠于脉冲宽度，脉冲间的时候距离，散热状况，RDS(on)和脉冲电流的波形和幅度。纯真知足脉冲电流不超越IDM下限并不能保障结温不跨越最大许可值。能够参考热机能与机器机能中对刹时热阻的会商，来估量脉冲电流下结温的环境。

5、PD 许可沟道总功耗

许可沟道总功耗标定了器件能够消失的最大功耗，能够表现为最大结暖和管壳温度为25℃时热阻的函数。跨越此值，管子面对粉碎的危险。

6、TJ, TSTG 任务温度和存储环境温度的规模

这两个参数标定了器件任务和存储环境所许可的结温区间。设定如许的温度规模是为了知足器件最短任务寿命的请求。若是确保器件任务在这个温度区间内，将极大地耽误其任务寿命。

7、EAS - 单脉冲雪崩击穿能量

若是电压过冲值(凡是因为泄电流和杂散电感形成)未跨越击穿电压，则器件不会产生雪崩击穿，是以也就不须要消失雪崩击穿的才能。雪崩击穿能量标定了器件能够容忍的刹时过冲电压的宁静值，其依靠于雪崩击穿须要消失的能量。

界说额外雪崩击穿能量的器件凡是也会界说额外EAS。额外雪崩击穿能量与额外UIS具备近似的意思，EAS标定了器件能够宁静接收反向雪崩击穿能量的凹凸。

L是电感值，iD为电感下流过的电流峰值，其会俄然转换为丈量器件的漏极电流。电感上产生的电压跨越MOSFET击穿电压后，将致使雪崩击穿。雪崩击穿产生时，即便 MOSFET处于关断状况，电感上的电流一样会流过MOSFET器件。电感上所贮存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET消失的能量近似。

MOSFET并联后，差别器件之间的击穿电压很难完整不异。凡是环境是：某个器件领先产生雪崩击穿，随后一切的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。

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