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irfb4710场效应管参数,irfb4710场效应管代换,​KIA3510A​-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-12-12 

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irfb4710场效应管参数引脚图

漏源极电压(Vds):100 V

漏源击穿电压:100V (min)

持续漏极电流(Ids):75 A

RDS(on) max:0.014?

耗散功率:200 W

回升时候130 ns

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irfb4710场效应管代换,KIA3510A中文材料

KIA3510A漏源击穿电压100V,漏极电流75A,RDS(翻开)=14mΩ(max)@VGS=10V,具备低栅极-漏极电荷可下降开关消耗、100%雪崩测试、靠得住且坚忍、供给无铅和绿色装备(合适RoHS规范)等特征;KIA3510A 75A 100V场效应管可以或许代换irfb4710型号,普遍利用于逆变器、LED电源等,封装情势:TO-220、252、263,高效不变。

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KIA3510A代换irfb4710场效应管参数

产物型号:KIA3510A

任务体例:75A/100V

漏源电压:100V

栅源电压:±25A

泄电流持续:75A

脉冲漏极电流:219A

雪崩电流:30A

雪崩能量:225mJ

耗散功率:166W

热电阻:62.5℃/V

漏源击穿电压:100V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:2946PF

输入电容:339PF

回升时候:108ns


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