mos管驱动芯片,mos管驱动芯片选型-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-12-01
经常利用的MOS管驱动电路布局以下所示：驱动旌旗灯号颠末图腾柱缩小后，颠末一个驱动电阻Rg给mos管驱动。
MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片普通有很大的刹时输出电流，并且还兼容TTL电平输出，MOSFET驱动芯片的外部布局以下：
驱动芯片的存在首要是为了守旧MOS管，为了供给MOS管守旧所须要的电压，须要自举升压电路，驱动芯片的意思恰是自举升压相干的一些电路。
驱动芯片简略而言便是把单片机发生的PWM波形停止缩小输出到MOS管的栅极G，从而到达守旧关断MOS管的目标。
下表列出了驱动芯片选型时须要存眷的首要参数：
对拉灌电流能力这一参数须要进一步诠释，从等效层面上讲，MOS管的各极之间都存在寄生电容，MOS守旧的进程便是对极间电容充电的进程，如图所示为MOS管极间电容的表示图，所谓灌电流便是将电流灌进G极使得MOS守旧，拉电流便是将电荷从G极抽出使得MOS关断，拉灌电流的力度决议了MOS守旧的水平。
MOS管极间电容表示图
对驱动芯片停止选型时， 须要非分特别注重将驱动芯片拉灌电流能力值与MOS管的参数相婚配，若是不婚配将会呈现俗称为“带不动”的环境。
那末这一值详细应当怎样婚配呢？以IRLB4030和IR2101S为例停止计较：
这当中用到了MOS管的反向规复电荷Qrr，IRLB4030的规复电荷在125摄氏度时为130nC，咱们取为150nC，假定机电节制PWM波的频次为10KHz，即周期为100us，假定PWM电压从零到最大值的阶跃时候为1us，那末MOS管须要的电流值为：
I=Q/T&=150nC/1us=150mA
那也便是说驱动芯片拉灌电流值应当最少到达150mA能力带的动IRLB4030，IR2101S的拉灌电流值在130mA到270mA之间，根基合适前提，是以这两款驱动芯片和MOS管的婚配利用是公道的。
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