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​70n08场效应管参数,​70n08场效应管代换,高压MOS管-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-11-30 

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70n08场效应管参数代换KIA3407A

70n08场效应管代换KIA3407A漏源击穿电压70V,漏极电流为80A,VDSS=70V/ VGSS=+25V/ID=80A,,RDS(ON)=10.8mΩ(Max.)@VGS=10V;接纳KIA半导体的进步前辈的沟槽工艺手艺出产;封装情势:TO-263/220。


70n08场效应管代换KIA3407A超低导通电阻的高密度电池设想,供给了优胜的开关机能好,在雪崩和整流形式下能蒙受高能量脉冲,靠得住、坚忍耐用。KIA3407A 70V 80A场效应管合用于节制器、逆变器、锂电池掩护板等利用范畴。


70n08场效应管参数代换KIA3407A引脚图


70n08场效应管参数代换KIA3407A参数

任务体例:80A/70V

漏源电压:70V

栅源电压:±25A

泄电留连续:75A

脉冲漏极电流:300A

雪崩电流:80A

漏源击穿电压:70V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:2200PF

输入电容:470PF

回升时候:12ns


KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业,真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴,自动领会客户需要,不时研发立异,为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。

KIA半导体延续承袭“品德第一、办事至上”的主旨,为泛博客户不时供给高品质的电子元器件和优良的客户办事,助力客户完成更好的事迹和成长。


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