ncep60t20参数,ncep60t20代换,60V 200A现货直销-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-11-29
VDS=60V，ID=200A
RDS（ON）=1.8mΩ（典型）@VGS=10V
优异的栅极电荷x RDS（on）产物
导通电阻极低RDS（接通）
封装：TO-220
封装 TO-263
栅极电压Vgs ±20V
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.8mΩ
持续漏极电流Id 200A
漏源极电压Vds 60V
Pd-功率耗散(Max) 255W
ncep60t20代换场效应管KNX1906漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为230A；RDS (on) = 2.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX1906具备无铅绿色装备、下降导电消耗、高雪崩电流等特征，最大限制地削减导通电阻，可供给最高效的高频开关机能。因为RDS（ON）和Qg的组合极低，导通和开关功率消耗都被最小化，KNX1906是高频开关、电池办理体系、UPS的抱负挑选。ncep60t20代换场效应管KNX1906很是合适利用于光伏逆变、电鱼机、锂电池掩护板等产物范畴。
任务体例：230A/60V
漏源电压：60V
栅源电压：±25V
最高结温：175oC
脉冲漏极电流：880A
雪崩电流:40A
雪崩能量:800mJ
漏源击穿电压:60V
输入电容：6110pF
输入电容：1020pF
反向转移电容:771pF
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
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