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信息来历:本站 日期:2023-11-28
IRF3205是一种N沟道功率MOS管,接纳 TO-220封装,任务电压为 55V 和 110A,导通电阻为 8.0mΩ。

irf3205场效应管参数:
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-持续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小任务温度: - 55 C
最大任务温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
降落时候: 65 ns
回升时候: 101 ns
典范封闭提早时候: 50 ns
典范接通提早时候: 14 ns
irf3205场效应管代换KNX3206A漏源击穿电压60V,漏极电流最大值为110A;RDS (on) = 6.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3206A具备低RDS(ON)以减小导电消耗、低门电荷在疾速开关中的利用、优化的BVDSS机能等特征,导通电阻极低,合用于逆变器、机电速率节制器、DC-DC 转换器等开关电路,供给出色的开关机能。
任务体例:110A/60V
漏至源电压:60V
门到门限电压:±20V
单脉冲雪崩能:288MJ
操纵和贮存温度规模:-55℃至+175℃
漏源击穿电压:60V
二极管正向电压:1.4V
反向规复时候:75nS
输入电容:3400pF
输入电容:430pF
反向转移电容:145pF
IRF3205继电器驱动电路
IRF3205逆变器电路图
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