25n06参数,2n60场效应管参数,25n06代换-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-11-22
高压小功率MOS管KIA30N06B漏源击穿电压60V，漏极电流为25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；进步前辈的高密度沟槽手艺制作，封装情势：TO-251/252。
KIA30N06B 60V 25A场效应管在HID车灯、LED驱动、医疗东西、警用单车防盗利用范畴热销，KIA30N06B3场效应管能够代换RU60E25L、RJK0651DPB、CS25N06B4、NCE60P25K、25n06、FQB30N06L场效应管型号停止利用，良好国产厂家直销。
KIA30N06B是极高电池密度的最高机能沟槽N-ch MOSFET ,它为大大都同步BUCK变更器的利用供给了良好的Rdson和栅电荷。KIA30N06B具备超低端滑盖装、良好的CDV/dt效应递加，知足RoHS和绿色产物要求，100%的EAS保障了全数功效的靠得住性。
高频点同步降压变更器
收集化DC-DC电源体系
负荷开关
产物型号：KIA30N06
任务体例：25A/60V
漏流电压：60V
栅源电压（持续）：±20V
持续泄电流：25A
脉冲漏极电流：50A
雪崩能量：22.6A
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：60V
温度系数：0.063V/℃
栅极阈值电压：12V
输入电容：1345 PF
输入电容：72.5 PF
回升时候：14.2 ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
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