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09n03场效应管参数,09n03la代换,​KIA100N03​-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-11-21 

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09n03场效应管参数,09n03la代换材料

KIA100N03场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流为90A,RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V;接纳KIA半导体的进步前辈立体条纹DMOS手艺出产;封装情势:TO-251/252/263/220。这类立体条纹DMOS手艺特地针对最小化通态电阻,供给了优胜的开关机能好,在雪崩和整流形式下能蒙受高能量脉冲。KIA100N03场效应管合用于高效力开关电源,有功功率因数校订基于半桥拓扑。



KIA100N03场效应管很是合适利用于小功率LED、锂电池掩护板等产物范畴,KIA100N03场效应管能够代换IR8726、09N03、30H10K场效应管型号停止利用,KIA100N03场效应管具备加强的dv/dt才能、疾速切换等特征,绿色装备可用,优良原厂直销。

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任务体例:90A/30V

漏源电压:30V

栅源电压:±20A

泄电留连续:90A

脉冲漏极电流:360A

雪崩电流:50A

雪崩能量:125mJ

耗散功率:88W

热电阻:62℃/V

栅极阈值电压:1.2V

输入电容:3070PF

输入电容:400PF

反向传输电容:315PF

开启提早时候:12.6ns

关断提早时候:12.6ns

回升时候:42.8ns

降落时候:13.2ns


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