p06p03lvg场效应管参数引脚图,p06p03lvg代换-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-11-20
KIA7P03A场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流为-7.5A；接纳进步前辈的高密度沟槽手艺，具备超低栅电荷、良好的CDV / dt效应递加等；封装情势：SOP-8。
KIA7P03A场效应管很是合适利用于锂电池掩护板、智能医疗等产物范畴，KIA7P03A场效应管能够代换NIKO-SEM(尼克森) 场效应管P06P03LVG型号停止利用，KIA7P03A是高密度沟槽p-CH MOSFET，供给超卓的导通电阻和大大都同步降压转换器利用的栅极电荷。KIA7P03A知足RoHs和绿色产物请求。
RDS（ON）= 18mΩ（典范值）@ VGS = 10 V
超低栅电荷
绿色的可用装备
良好的CDV / dt效应递加
进步前辈的高密度沟槽手艺
产物型号：KIA7P03A
任务体例：-7.5A/-30V
漏源电压：-30V
栅源电压：±20V
泄电留连续：-7.5A
脉冲漏极电流：-50A
雪崩电流：-38A
雪崩能量：72.2mJ
耗散功率：31W
热电阻：40℃/W
漏源击穿电压：-30V
温度系数：-0.022V/℃
栅极阈值电压：2.5V
输入电容：1345PF
输入电容：194PF
回升时候：19.6ns
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