si2306场效应管参数,2306场效应管参数代换-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-11-17
2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；极低RDS（on）的高密度单位设想、无铅产物、坚忍靠得住；封装情势：SOT-23。2306场效应管很是合适利用于LED感到灯、玩具、蓝牙音箱等产物范畴，2306场效应管可以或许替换VISHAY(威世)、时科、CJ、新洁能产物型号停止利用，KIA半导体原厂直销高性价比。
VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A
VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A
产物型号：KIA2306
任务体例：3.5A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
泄电留连续：3.5A
脉冲漏极电流：16A
雪崩电流：1.25A
耗散功率：1.25W
热电阻：100V/℃
漏源击穿电压：30V
栅极阈值电压：1V
输入电容：555PF
输入电容：120PF
回升时候：7.5ns
封装情势：SOT-23
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