SI2305场效应管参数,2305场效应管引脚图,si2305中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-11-14
2305场效应管参数漏源击穿电压-20V，漏极电流为-3.5A；极低RDS（on）的高密度单位设想、无铅产物、坚忍靠得住；封装情势：SOT-23。2305场效应管利用于LED感到灯、玩具、蓝牙音箱，高效力低消耗。
VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A
VDS=-20V,RDS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A
VDS=-20V,RDS(on)=0.095Ω@VGS=-1.8V,ID=-1.8A
漏源击穿电压：-20V
持续泄电流：-3.5A
脉冲漏极电流：±12A
栅-源电压:±12V
功率耗散:1.25W
讨论和存储温度规模:-55 to150℃
输入电容：1245 pF
输入电容：375 pF
反向传输电容：210 pF
开启提早时候：13ns
关断提早时候：55ns
回升时候：25ns
降落时候：19ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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