095r0nt参数,095r0nt场效应管代换,优良平替-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-11-06
SVG095R0NT N沟道加强型功率MOS场效应晶体管120A，90V，RDS(on)（典范值）=4.4mΩ@VGS=10V；
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：90 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.005 Ω
KNX2908B场效应管接纳进步前辈的N沟道沟槽手艺，漏源击穿电压80V, 漏极电流最大值为130A ,RDS(on) =5.0mΩ(typ)@VGS=10V，封装情势是TO-220、TO-263、TO-3P；具备高雪崩耐量、靠得住性高、低Qgd、低RDSon的特色，可最大限制地削减导通消耗，供给超卓的开关机能。
KNX2908B这款130A、80V大流量、低电压的MOS管可以或许代换SVG095R0NT型号来利用。SVG095R0NT代换MOS管KNX2908B普遍利用于DC/DC电源、DC-AC逆变器、开关电源、UPS、BLDC机电驱动及锂电池掩护板上。
KNX2908B特征：
VDS=80V，ID=130A，RDS（ON）（典范值）=5.0mΩ@VGS=10V
低Rdson的高密度电池设想
完整表征雪崩电压和电流
不变性和平均性好，EAS高
超卓的封装，散热杰出
KIA半导体发生的MOS管场效应管已普遍利用于智能家居、新动力电子范畴：如智能声响、家用电器、LED照明、逆变电源、电瓶车、电脑电源、充电器、汽车电子等行业，真挚为客户供给优良的产物和配套办事。可按照客户需要停止量身定制MOS管产物和收费试样、手艺撑持。
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