机电驱动板场效应管,公用mos管,35P10参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-11-02
机电驱动在产业自动化装备中占有焦点位置，若是机电驱动产生毛病就很轻易致使丧失，是以对机电驱动厂家在利用任何元器件时都值得稳重斟酌的，比方元器件之一MOS管，挑选优良的场效应管能够让机电驱动晋升效力，削减消耗。
KIA35P10A是一款自动化装备的机电驱动公用MOS管，接纳进步前辈的沟槽MOSFET手艺，供给超卓的RDS（ON）和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V，封装情势：TO-252；具备高雪崩耐量、靠得住性高、低Qgd、低RDSon的特色，可最大限制地削减导通消耗，供给超卓的开关机能；合适RoHS和绿色产物请求，100%EAS保障，全功效靠得住性获得承认。
KIA35P10A特征：
RDS（开）=42mΩ（典范值）@VGS=10V
100%EAS保障
绿色装备可用
超低栅极电荷
超卓的Cdv/dt效应降落
进步前辈的高单位密度沟槽手艺
机电驱动板场效应管,35P10参数概况
任务体例：-35A/ -100V
栅源电压：±20V
脉冲泄电流:-100A
单脉冲雪崩能量:345mJ
雪崩电流：28A
总功耗：104W
操纵和贮存温度规模：-55℃至+150℃
漏源击穿电压：-100V
栅源泄电流:±100nA
输入电容：4920pF
输入电容：223pF
反向转移电容：125pF
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
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