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KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ,引脚图-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-10-30 

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KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ,引脚图-KIA MOS管


KCX3310A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流最大为85A;RDS(on)(典范值)=5mΩ@Vgs=10V,3310A接纳进步前辈的SGT手艺,具备极低的开关消耗、出色的不变性、杰出的开关特征等长处,合用于电源切换利用硬开关和高频电路不中断电源等。封装情势:DFN5*6、TO-263。


KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ引脚图

KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ

KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ中文材料

RDS低(翻开)和FOM

极低的开关消耗

接纳进步前辈的SGT手艺

出色的不变性和平均性

疾速切换和软规复


电源切换利用

低导通电阻(典范值)RDS(导通)=5mΩ

硬开关和高频电路

不中断电源


KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ参数概况

漏极-源极电压:100V

持续漏极电流:TO-263 90A/DFN5*6 85A

脉冲漏极电流:TO-263 360A/DFN5*6 340A

雪崩能量:529mJ

栅极-源极电压:±20 V

功率耗散:TO-263 166W/DFN5*6 90W

毗连和贮存温度规模:-55 to 150℃

KCX3310A场效应管参数,100V 85A,5mΩ

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接洽体例:邹师长教师

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