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信息来历：本站 日期：2023-10-17
6140S N沟道加强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、机电驱动器、继电器驱动器。
knp6140漏源击穿电压400V, 漏极电流最大值为11A ,RDS(on)=0.53mΩ(typ)@VGS=10V，封装情势：TO-220，具备较低的导通电阻、优胜的开关机能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限制地削减导通消耗，出色高效，KIA半导体原厂直销。
knp6140特征：
11A，400V，RDS（开启）典范值=0.53Ω@VGS=10 V
低栅极电荷（典范15.7nC）
高坚忍性
疾速切换
100%雪崩测试
改良的dv/dt功效
KIA半导体专业出产MOS管场效应管厂家（国度高新手艺企业）建立于2005年，公司建立早期就明白安身外乡市场，研发为先导，领会客户需要，利用立异的集成电路设想计划和国际同步研发手艺，连系中国市场的特色，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相干产物，产物的不变性，高性价比，杰出的办事，和和客户充实的手艺，市场相同的松散立场，在挪动数码，LCE,HID,LED,电动车，开关电源，逆变器，节能灯等范畴深得客户承认。
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