MOS晶体管的阈值电压输入特色的剖析-场效服装服装论坛t.vhao.nett.vhao.net
信息来历：本站 日期：2017-09-14
逻辑阈值电压
因为逻辑阈值电压是式(10.1)中的-IDS与式(10.2)中的IDS相称时的电压，以是利用这个干系可以或许或许求得Vin：
假设KN=Kp，即KN/KP=1，颠末挑选得当的p沟MOS晶体管与n沟MOS晶体管的参数，可以或许实现｜VTP｜＝｜VTN｜，那末作为反相器，固然就可以或许或许获得以下抱负的干系：
理论上，如许的抱负状况是不存在的。在幅员设想中，颠末设想得当的p沟MOS晶体管与n沟MOS晶体管的W/L比，尽可以或许使VTP与VTN相称，可以或许或许获得靠近1/2VDD的逻辑阈值电压。
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