nce65t540参数代换,引脚图,6165C场效应管-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-09-19
KNF6165C最高蒙受电压可达650V，漏极电流最大值为10A，栅源电压：±20V，脉冲漏极电流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典范值）@VGS=10V；封装情势：TO-220F；脚位摆列位GDS。KNF6165C沟道加强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。6165C 650V 10A场效应管可以或许取代nce65t540型号产物，高效质优，国产原厂。
疾速切换
RDS（ON）=0.8Ω（典范值）@VGS=10V
低栅极电荷
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
KIA从研发设想到制作封装，再到仓储和物流等具有专业的团队，让客户从一个设法变成制品，让客户产物亮点无穷扩展的一体化办事。
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