40A 250V场效应管参数代换,9125A场效应管引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-09-19
N沟道 MOS管KNP9125A最高蒙受电压可达250V，漏极电流最大值为40A，RDS（ON）=80mΩ（典范值）@VGS=10V；封装情势：TO-220；脚位摆列位GDS。
专有新型立体手艺
RDS（ON）=80mΩ（典范值）@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关消耗
疾速规复体二极管
漏源电压：250V
漏极电流：40A
功耗:125W
栅源电压:±20V
单脉冲雪崩能:1250MJ
峰值二极管规复dv/dt:5.0V/ns
40A 250V场效应管KNP9125A接纳KIA半导体专有新型立体手艺，高效优良，合用于逆变器开关电源、DC-DC转换器、SMPS和机电节制等。须要领会更多产物概况请来电征询，收费送样！
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