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28n50场效应管参数,28n50​代换,28A 500V,逆变器-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-09-18 

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28n50场效应管参数 28A 500V

高压大功率MOS管KIA28N50漏源击穿电压高达500V,漏极电流最大为28A;RDS(on)(典范值)=0.16mΩ@Vgs=10V,具备低电荷最小化开关消耗,开关速率快等长处,合用于车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等。封装情势:TO-3P、TO-220F。


28n50场效应管参数 28A 500V-上风

RDS(ON)=0.16Ω(典范值)@VGS=10V

低栅极电荷

低Crss

100%雪崩Aested

进步dv/dt才能

合适RoHS


28n50场效应管参数 28A 500V-利用

LED电源

手机充电器

备用电源


28n50场效应管参数 28A 500V-封装图

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28n50场效应管参数 28A 500V功率MOSFET接纳KIA进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产,能够最大限制地削减导通电阻,供给出色的开关机能,并在雪崩和换向形式下蒙受高能脉冲。这些装备很是合适高效开关形式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校订。接待来电征询,收费送样!


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