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HY3210场效应管代换2910A HY3210参数 引脚图-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-09-13 

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HY3210场效应管代换2910A HY3210参数 引脚图-KIA MOS管


MOS管KNX2910A漏源击穿电压100V,漏极电流最大值为130A;低内阻:5Ω,接纳超高密度电池设想、超低导通电阻,低开关消耗:开关速率快,开关消耗小,高效不变。合用于无刷机电、开关电源同步整流等。封装情势:TO-263、TO-220、TO-3P。KNX2910A型号产物可完善替换hy3210利用,上面是HY3210和KNX2910A两个型号的参数对照、封装、规格书等概况。


HY3210场效应管代换 2910A参数-利用范畴

SMPS的高效同步整流

高速功率转换


HY3210场效应管代换 2910A参数-特征

RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V

超高密度电池设想

超低导通电阻

100%雪崩测试

无铅环保器件(合适RoHS规范)


HY3210场效应管代换 2910A参数-规格书

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MOS管 HY3210封装引脚图


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MOS管 HY3210 100V/120A参数


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广东可易亚半导体科技无限公司(KIA半导体)是一家专业处置中、大、功率场效应管(MOSFET)、疾速规复二极管、三端稳压管开辟设想,集研发、出产和发卖为一体的国度高新手艺企业。KIA半导体研发中间来自韩国、台湾,具有超一流的团队,有着16年的研发经历,产物设想方面也具有着35项常识产权。


KIA半导体的产物涵盖产业、新动力、交通运输、绿色照明四大范畴,不只包含光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴动力,也触及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专一于产物的邃密化与改革,力图为客户供给最具行业抢先、品德上乘的科技产物。


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