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大功率MOS管7880A 27A 800V场效应管27n80-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-09-08 

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大功率MOS管7880A 27A 800V场效应管27n80-KIA MOS管


大功率高压MOS管KNK7880A:漏源击穿电压高达800V,漏极电流最大值为27A;RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。具备低电荷最小化开关消耗,开关速率快等长处,合用于无刷机电驱动、电焊机、电源分流器、电箱等产物。封装情势:TO-264;脚位摆列位GDS。


KNK7880A为N沟道27A/800V加强型VDMOSFET,接纳高档立体手艺,下降了导通消耗,改良了开关机能,进步了雪崩能量。该晶体管可用于各类功率开关电路,使体系小型化,效力更高。


场效应管7880A 27A 800V-特色

高档立体工艺

RDS(ON)=280mΩ(典范值)@VGS=10V

低栅极电荷最小化开关消耗

加固多晶硅栅极布局



场效应管7880A 27A 800V-利用

无刷直流机电驱动器

电焊机

高效开关电源



场效应管7880A 27A 800V-封装

场效应管7880A 27A 800V


场效应管7880A 27A 800V-参数

场效应管7880A 27A 800V

场效应管7880A 27A 800V

KIA半导体MOSFET场效应管接纳优良芯片及进步前辈的工艺手艺封装,为您供给优良、高效的产物,和外洋产物比拟,我司的该款产物具备货期短、性价比高档长处。来电征询,收费送样!

场效应管7880A 27A 800V


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