高压MOS管62150A 1500V场效应管STW21N150-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-09-04
高压MOS管KNX62150A：漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为11A；RDS (on) = 2.4mΩ(typ)@VGS =10V。具备低电荷最小化开关消耗，低反向传输电容，开关速率快等长处，合用于高压电源、新动力汽车机电等。封装情势：TO-247；脚位摆列位GDS。
KNX62150A--兼备超结手艺长处与1500V漏源（drain-to-source）击穿电压（breakdown voltage）的晶体管，完成更环保、更宁静的电源利用，并已博得亚洲及西欧首要客户用于其主要设想中。KNX62150A可替换1500V场效应管STW21N150。
合适RoHS
RDS（开启），典范值=2.4Ω@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关消耗
疾速规复体二极管
高压电源
电容器放电
脉冲电路
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