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1500V大功率场效应管 48150A​高压mos管参数-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-08-31 

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1500V大功率场效应管 48150A高压mos管参数-KIA MOS管


大功率场效应管KNX48150A:漏源击穿电压高达1500V,漏极电流最大值为9A;RDS (on) = 2.8mΩ(typ)@VGS =10V。具备低电荷最小化开关消耗,低反向传输电容,开关速率快等长处,合用于适配器、充电器、SMPS备用电源等。封装情势:TO-247;脚位摆列位GDS。


1500V 场效应管 48150A-特色

RDS(ON),典范=2.8Ω@VGS=10V

低栅极电荷最小化开关消耗

疾速规复体二极管


1500V 场效应管 48150A-利用

适配器

充电器

SMPS备用电源



1500V 场效应管 48150A-封装图

1500V 场效应管 48150A

1500V 场效应管 48150A-参数

1500V 场效应管 48150A

1500V 场效应管 48150A


KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业,真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴,自动领会客户需要,不时研发立异,为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。

1500V 场效应管 48150A


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