场效应管1000v 13a 64100A引脚图 mos管参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-08-28
KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为13A；RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@VGS =10V。具备低电荷最小化开关消耗，低反向传输电容，开关速率快等长处，合用于DC-DC转换，机电节制等。封装情势：TO-247；脚位摆列位GDS。
疾速切换
RDS（ON），典范=0.85Ω@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关消耗
疾速规复体二极管
DC-DC转换器
直流斩波器
交换机电节制
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
