1000V场效应管代换2sk119参数 41100A引脚图-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2023-08-22
可易亚半导体(KIA)针对1000V超高压MOS产物停止了大批的手艺改革,经由过程多年的产物手艺堆集,开辟出耐压更高,导通内阻更低的超高压MOS管,KNX41100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V,漏极电流最大值为2A,可替代2sk119;RDS (on) = 9.6mΩ(typ)@VGS =10V。具备低电荷最小化开关消耗,低反向传输电容,开关速率快等长处,合用于LED照明驱动电源,充电桩等利用。封装情势:TO-220、TO-220F、TO-252;脚位摆列位GDS。
合适RoHS
RDS(ON),典范=9.6Ω@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关消耗
疾速规复体二极管
适配器
充电器
SMPS备用电源


KIA半导体专业出产MOS管场效应管厂家(国度高新手艺企业)建立于2005年,公司建立早期就明白安身外乡市场,研发为先导,领会客户需要,利用立异的集成电路设想计划和国际同步研发手艺,连系中国市场的特色,向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相干产物,产物的不变性,高性价比,杰出的办事,和和客户充实的手艺,市场相同的松散立场,在挪动数码,LCE,HID,LED,电动车,开关电源,逆变器,节能灯等范畴深得客户承认。
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