900V场效应管6990A 引脚图 900V MOS管参数手册-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-08-21
KNX6990A 900V 18A场效应管参数：ID（A）：18A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.65mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A接纳高等立体工艺，具备低电荷，低反向传输电容，开关速率快等长处，合用于无刷直流机电驱动器、电焊机、高效开关电源等利用。封装情势：TO-247，脚位摆列位GDS。
高等立体工艺
RDS（ON）=650mΩ（典范值）@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关消耗
加固多晶硅栅极布局
无刷直流机电驱动器
电焊机
高效开关电源
KIA半导体专业出产MOS管场效应管厂家（国度高新手艺企业）建立于2005年，公司建立早期就明白安身外乡市场，研发为先导，领会客户需要，利用立异的集成电路设想计划和国际同步研发手艺，连系中国市场的特色，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相干产物，产物的不变性，高性价比，杰出的办事，和和客户充实的手艺，市场相同的松散立场，在挪动数码，LCE,HID,LED,电动车，开关电源，逆变器，节能灯等范畴深得客户承认。
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