7n80场效应管参数，7n80场效应管代换-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-08-14
7n80功率MOSFET是利用进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产的。这项进步前辈的手艺颠末特地定制，可最大限制地削减导通电阻，供给出色的开关机能，并在雪崩和换向情势下蒙受高能脉冲。这些装备很是合适高效开关情势电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校订。
RDS(on)=1.4Ω@ VGS=10V
栅极电荷低(典范为27nC)
高坚忍性
疾速切换
100%雪崩测试
改良的DV/DT功效
产物型号：KIA7N80
任务体例：7A/800V
漏源电压：800V
栅源电压：±30V
泄电留连续：7.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：167W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：800V
温度系数：1V/℃
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：1300 PF
输入电容：120 PF
回升时候：100 ns
封装情势：TO-220、TO-220F
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
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