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24n50场效应管参数,24n50代换,引脚图 500V-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-08-10 

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24n50场效应管参数,24n50代换,引脚图 500V-KIA MOS管


24n50场效应管参数-产物先容

KIA24N50功率MOSFET接纳KIA进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产。这类进步前辈的手艺颠末出格定制,可以或许最大限制地削减导通电阻,供给出色的开关机能,并在雪崩和换向情势下蒙受高能脉冲。这些装备很是合适高效开关情势电源,基于半桥拓扑的有功功率因数校订。这款24A、500V低电流、高电压的MOS管是可以或许或许婚配:2SK2837、25N50两款型号,可以或许或许完善代换利用。


24n50场效应管参数-特色

RDS(ON)=0.16Ω@VGS=10V

低栅电荷

高耐用性

疾速切换

雪崩测试100%

进步了dv/dt才能


24n50场效应管首要参数

产物型号:KIA24N50

任务体例:24A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±30V

泄电留连续:24A

脉冲漏极电流:96A

雪崩能量:1150mJ

耗散功率:290W

热电阻:40℃/W

漏源击穿电压:500V

温度系数:0.5V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:3500 PF

输入电容:520 PF

回升时候:35 ns

封装情势:TO-3P


24n50场效应管封装


24n50场效应管参数


24n50场效应管参数规格书 KIA24N50H

检查及下载规格书,请点击下图。


24n50场效应管参数


KIA半导体专业出产MOS管场效应管厂家(国度高新手艺企业)建立于2005年,公司建立早期就明白安身外乡市场,研发为先导,领会客户需要,利用立异的集成电路设想计划和国际同步研发手艺,连系中国市场的特色,向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相干产物,产物的不变性,高性价比,杰出的办事,和和客户充实的手艺,市场相同的松散立场,在挪动数码,LCE,HID,LED,电动车,开关电源,逆变器,节能灯等范畴深得客户承认。

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