18n50场效应管参数代换 18n50规格书 引脚-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-08-08
开关电源产物普遍利用于产业主动化节制、兵工装备、科研装备、LED照明、工程装备、通信装备等等；一款优良的场效应管利用在开关电源中可以或许晋升效力，减低本钱。
KIA半导体这款18N50H是N沟道加强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设想，普遍利用于开关电源、DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，紫外线灯电子镇流器等产物中。在利用方面可以或许婚配型号为FQP16N50的外洋场效应管，完善代换FQP18N50型号的场效应管。
RDS(on)=0.25Ω@VGS=10V
低栅电荷
疾速切换才能
进步了dv/dt才能
任务体例：18A/500V
漏源电压：500V
栅源电压:±30V
脉冲泄电流:72A
峰值二极管规复dv/dt:4.5V/ns
输入电容：2500pF
输入电容：400pF
持续漏源电流：18A
检查及下载规格书，请点击下图。
KIA半导体的产物涵盖产业、新动力、交通运输、绿色照明四大范畴，不只包含光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴动力，也触及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA半导体供给收费试样外，更可按照客户需要停止量身定制MOS管产物！
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