集成电源开关：集成负载开关选型及设想要点-KIA MOS管

NMOS与PMOS

在NMOS器件中，经由过程使栅极电压高于源极电压来使导通FET接通。凡是，源极电压与VIN端子处于不异电势。要使栅极和源极间发生上述电压差，须要一个电荷泵。利用电荷泵将增大器件的静态电流。

在PMOS器件中，经由过程使栅极电压低于源极电压来使导通FET接通。PMOS器件的架构无需电荷泵，是以其静态电流比NMOS器件的静态电流低。基于PMOS的架构与基于NMOS的架构的一个首要差别是，基于PMOS的负载开关在低电压下机能欠佳，由于高压下VGS低，导通电阻RDSON大。而NMOS器件在低输入电压利用中机能杰出。

导通状况电阻(RON)

导通状况电阻(RON)是一个极其主要的参数，由于它决议了负载开关的压降和功耗。RON越大，负载开关的压降越大，功耗越高。

此中，

?Vmax=VIN到VOUT的最大压降

ILOAD=负载电流

RON,max=给定VIN对应的器件最大导通电阻

IQ=负载开关的静态电流

电压(VIN)和电流(IMAX)额外值

决议利用哪一种负载开关时的主要斟酌身分之一是利用所需的电压和电流。负载开关必须可以或许撑持稳态任务时代所需的直流电压和电流，和瞬变电压和峰值电流。须要注重的是，一些负载开关须要偏置电压来开启器件和偏置外部电路。此偏置电压与输入电压有关。

关断电流(ISD)和静态电流(IQ)

静态电流是负载开关接通时耗损的电流。除I2R消耗外，静态电流还将决议负载开关接通时的功耗量。若是负载电流充足大，则静态电流引发的功耗可疏忽不计。

关断电流决议了负载开关经由过程ON引脚被禁用时的功耗量。利用负载开关堵截子体系电源可明显下降电源轨的待机功耗。

回升时候(tR)

回升时候因器件而异。回升时候可以或许须要较短，也可以或许较长，详细取决于利用。另外，浪涌电流与回升时候成正比。领会体系所能接管的浪涌电流是非常无益的。

此中

INRUSH=CL发生的浪涌电流的巨细CL=VOUT上的总电容dVOUT=启用器件时VOUT的电压变更dt=VOUT电压变更dVOUT所用的时候

疾速输入放电(QOD)

一些负载开关具有外部电阻，该电阻会在开关关断时将输入拉至地，以避免输入浮空。要使疾速输入放电功效起感化，输入电压引脚上的电压需处于任务规模内。

疾速输入放电功效有诸多益处，比方：

输入不会浮空并且一直处于已肯定状况。

下流模块一直完整封闭。

不过，仍有利用没法从疾速输入放电功效中受害。

若是负载开关的输入与电池相连，则经由过程ON引脚禁用负载开关时，疾速输入放电会致使电池电量耗尽。

若是两个负载开关用作双输入单输入多路复用器（此中，两者输入连在一路），则负载开关没法供给疾速输入放电功效。不然，疾速输入放电时代将延续华侈电能，由于只需经由过程ON引脚禁用负载开关，电流就会经由过程外部电阻流向地。

封装尺寸

集成负载开关供给各类差别的外形和尺寸。确保利用可以或许接管负载开关是非常主要的。在空间受限的体系中，可以或许须要挑选较小的封装尺寸。比方，可以或许不须要利用0.4mm间距的器件，以是挑选部件时不应斟酌0.4mm间距的器件。是以，挑选器件时应斟酌封装尺寸。

输入和输入电容

在负载开关利用中，应安排输入电容，以限定由流入已放电的负载电容的瞬变浪涌电流所致使的输入电源压降。激烈倡议在VIN和GND之间接近VIN端子的地位安排1μF电容(CIN)。较大的电容将下降大电流利用时代的压降。虽然激烈保举，但这并非负载开关任务所必需。

移除电源时，VOUT和GND之间的总输入电容(CL)可以或许会使VOUT上的电压跨越VIN上的电压，对不具有反向电路掩护功效的器件，这可以或许致使电流从VOUT经导通FET中的体二极管流向VIN。为避免呈现这类情况，倡议（但不请求）输入电容和负载电容坚持10:1的比值。

散热注重事变

最大IC结温应限定为相对最大值表中唆使的一般任务前提下的最大结温。要计较在给定的输入电流和情况温度下的最大许可功耗PD(max)，请利用公式：

此中：PD(max)=最大许可功耗TJ(max)=最大许可结温TA=器件的情况温度θJA=结点到氛围热阻此参数很大水平上取决于电路板规划。

接洽体例：邹师长教师

接洽德律风：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109

请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号

请“存眷”官方微信公家号:供给  MOS管  手艺赞助

免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。