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防反接掩护电路:VCC端、GND端串入二极管-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2023-08-03 

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防反接掩护电路:VCC端、GND端串入二极管-KIA MOS管


由于肖特基二极管具备较小的前向电压,是以VCC端串入肖特基二极管,也是一种防反接的体例。


VCC端串入肖特基二极管防反接电路图

防反接 VCC GND 二极管

按照道理图能够看出该种防反接体例较为简略。


肖特基二极管参数简直定

肯定肖特基二极管的参数,须要从以下几个方面斟酌:

(1)肖特基二极管的正向电流,应大于芯片驱动负载时的任务电流;

(2)反接时的反向电压题目;

(3)ISO脉冲的题目,如正向(50V)和反向(-150V)脉冲;

(4)负载短路环境时,颠末肖特基二极管电流题目;

(5)任务温度。


优错误谬误

长处:简略,完成便利,正向电压低,合用于一切范例的负载。

错误谬误:本钱略高,正向功率较大。


别的,须要注重的是,电源反接时,负载电流不会经由过程芯片外部功率MOSFET的体二极管,是以,也就不必斟酌该方面的功率接收题目。


在GND端也能够经由过程串入二极管完成防反接掩护。

GND端串入二极管防反接电路图

防反接 VCC GND 二极管

二极管的参数,首要斟酌两种环境:

(1)正向峰值电流

对ISO7637-2:2004(E)规范来讲,当VCC端显现正向脉冲(50V)时,二极管的正向峰值电流应大于:

[(VPULSE+VBAT)–VCLAMP–VDIODE]/2


比方:

(50V+13.5V–46V–0.7)/2=8.4A

此中,2Ω为发生正向脉冲电压时的内阻。按照上述计较,能够得悉,二极管的正向峰值电流应知足8.4A@50usforISO7637-2:2004(E)


(2)反向峰值电压

当VCC端显现负向脉冲时,二极管反向峰值电压应知足:

-100VforISO7637-2:2004(E),-150VforISO7637-2:2011(E),


按照上述阐发能够,在GND端串入二极管,不能钳位VCC真个负向脉冲,也便是说该负向脉冲会影响到MCUIO和HSD的节制管脚,是以,其间须要串入限流电阻。


长处:简略,完成便利,本钱低。

错误谬误:仅合用于阻性负载。


对该种防反接掩护电路仅合用于阻性负载,是由于当驱动理性负载时,在封闭负载时,OUTPUT管脚会显现负电压,该电压会拉低GND电压(有能够显现负压),则HSD的节制引脚对GND的电压能够大于开启电压,致使负载从头翻开。是以该种体例,实际上只合用于阻性负载,而对应于全范例负载的防反接掩护电路,能够对此体例停止改良。


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