12N60参数代换 12N60场效应管 12N60引脚图TO-220-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-08-02
KIA12N60H N沟道加强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。12N60是针对储能电源，有更耐打击，划一参数雪崩更高的MOSFET。
RDS(on)= 0.53Ω @ VGS= 10 V
栅极电荷低(典范为52nC)
疾速互换才能
指定的雪崩能量
改良的DV/DT功效
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
泄电留连续：12A
脉冲漏极电流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：231W
热电阻：62.5℃/V
漏源击穿电压：600V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1850PF
输入电容：180PF
回升时候：90ns
封装情势：TO-220、220F
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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