10n60场效应管参数管脚 10N60场效应管代换-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-07-28
KIA10N60H N沟道加强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥到拓扑的电子灯镇流器。在社会的飞速成长中，便携式储能电源的需要天然激增，是以厂家必然要正视产物对MOS管的利用。10n60针对储能电源利用，具备更耐打击、划一参数雪崩更高的特征，进步效力的同时给产物利用也供给更稳定的保证。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低栅电荷（典范的44nc)
3、疾速切换才能
4、雪崩能量指定值
5、加强的dv/dt才能
产物型号：KIA10N60H
任务体例：9.5A/600V
漏源极电压:600V
栅源电压:±30V
泄电留连续:9.5A/5.7A
峰值二极管规复:4.5V/ns
结温:+150℃
储存温度:-55℃至150℃
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
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