TVS管击穿电压和钳位电压的干系区分-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-07-27
本文就实例别离先容TVS管的击穿电压和钳位电压的区分。
反向击穿电压VBR（Reverse breakdown voltage）
VBR是经由过程TVS二极管的反向电压是指TVS掩护二极管开启时的电压，今后点起头器件进入雪崩击穿。是在测试的电流IT下测得的。
钳位电压VC（Clamp voltage）
VC是钳位电压，施加划定波形的峰值脉冲电流 IPP 时，TVS 两头测得的峰值电压。在不异IPP下的VC越小，申明TVS的钳位特征越好。TVS的耐脉冲电流打击才能能够参考IPP ，同型号的TVS，IPP越大，耐脉冲电流打击才能越强。
以 ON Semiconductor 的 ESDONCAN1 器件为例，ESDONCAN1 是汽车级 CAN 总线收发器的TVS管掩护器件。
TVS管的参数：
Vrwm reverse standoff voltage 反向断绝电压
Cd diode capacitance 二极管电容
Ppp peak pulse power 峰值脉冲功率
IPP peak pulse current 峰值脉冲电流
Tj junction temperature 结温
Tamb ambient temperature 情况温度
Tstg storage temperature 贮存温度
VESD electrostatic discharge voltage 静电放电电压
IRM reverse leakage current 反向泄电流
VBR breakdown voltage 击穿电压
VCL clamping voltage 钳位电压
按照上图，能够获得以下论断：
击穿电压是电流随电压增添明显变大的电压点
钳位电压是从击穿电压起头到器件能蒙受的最大电压
TVS管的击穿电压是在很是小的电流下测得的，而钳位电压对应的电流是很大的
再来看 ESDONCAN1 的 spec：
按照上图，能够看出 Vrwm 是 TVS管起头反向任务的肇端电压，泄电流为 15nA(typ.)，小于此电压，泄电流会小良多，乃至能够疏忽不记；VBR 为 TVS 管的击穿电压，此时 TVS 管的泄电流已明显增大到 1mA；再跟着电压增大，泄电流也会急剧增大，此时 TVS管将电压钳位在 VCL。
别的，从能量的角度来申明一下 TVS管的掩护道理：能够将 TVS 管和被掩护器件看做是并联干系，TVS 管处于钳位状况时，能量都耗损在了 TVS 管上，从而掩护了器件。
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