1200V MOS管KIA10N120V1、KIA20N120V1碳化硅场效应管-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2023-07-26
参数： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
参数： ID(A): 20 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
充电桩-碳化硅MOS管产物特色
1、高频特征 低温特征 高压特征
2、碳化硅器件是划一硅器件耐压的10倍
3、碳化硅肖特基管耐压可达2400V
4、碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻小
充电桩-碳化硅MOS管型号
在这里不完整列出在充电桩中所用到的MOS管型号、参数及封装，具体领会其余型号请致电KIA半导体。
Part Numbe
IF（A）
VRM（V）
VF@IF（V）25℃
Package
KIA08065V1
8
650
1.8
TO-220F-2
TO-220-2
TO-247-2
KIA10065V1
10
650
1.8
KIA15170V1
15
1700
2
KIA20065V1
20
650
1.8
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（V） |
Package |
|
KIA10N120V1 |
10 |
1200 |
TO-220F TO-220 TO-3P TO-247 |
|
KIA20N120V1 |
20 |
1200 |
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